制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個(gè)，它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺(tái)、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、光刻機(jī)、離子注入機(jī)、引線鍵合機(jī)、晶圓劃片機(jī)、晶圓減薄機(jī)。
IGBT作為功率器件，在逆變器中承擔(dān)著功率變換和能量傳輸?shù)淖饔?，是逆變器的心臟。同時(shí)，IGBT又是逆變器中最不可靠的元器件之一，對(duì)器件的溫度和電流非常敏感，稍有超標(biāo)便會(huì)炸機(jī)且不可修復(fù)。
標(biāo)簽：
電感器
入網(wǎng)時(shí)間：2022-03-30
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。
標(biāo)簽：
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
入網(wǎng)時(shí)間：2022-03-28
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。
標(biāo)簽：
IGBT
入網(wǎng)時(shí)間：2022-03-26
我們把電容器的兩極板間的電勢(shì)差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。電容的符號(hào)是C。電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。
標(biāo)簽：
電容器
入網(wǎng)時(shí)間：2022-03-25