摘要 PIC單片機(jī)在國內(nèi)日益流行，本文介紹Microchip PIC系列單片機(jī)開發(fā)過程中軟、硬件設(shè)計(jì)的一些經(jīng)驗(yàn)、技巧。 由美國Microchip公司生產(chǎn)的PIC系列單片機(jī)，由于其超小型、低功耗、低成本、多品種等特點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、儀器、儀表、通信、家電、玩具等領(lǐng)域，本文總結(jié)了作者在PIC單片機(jī)開發(fā)過程中的一些經(jīng)驗(yàn)、技巧，供同行參考。 1 怎樣進(jìn)一步降低功耗 功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個(gè)重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機(jī)本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時(shí)工作電流小于2mA）。為進(jìn)一步降低功耗，在保證滿足工作要求的前提下，可采用降低工作頻率的方法，工作頻率的下降可大大降低功耗（如PIC16C××在3V，32kHz下工作，其電流可減小到15μA），但較低的工作頻率可能導(dǎo)致部分子程序（如數(shù)學(xué)計(jì)算）需占用較多的時(shí)間。在這種情況下，當(dāng)單片機(jī)的振蕩方式采用RC電路形式時(shí)，可以采用中途提高工作頻率的辦法來解決。 具體做法是在閑置的一個(gè)I/O腳（如RB1）和OSC1管腳之間跨接一電阻（R1），如圖1所示。低速狀態(tài)置RB1=0。需進(jìn)行快速運(yùn)算時(shí)先置RB1=1，由于充電時(shí)，電容電壓上升得快，工作頻率增高，運(yùn)算時(shí)間減少，運(yùn)算結(jié)束又置RB1=0，進(jìn)入低速、低功耗狀態(tài)。工作頻率的變化量依R1的阻值而定（注意R1不能選得太小，以防振蕩電路不起振，一般選取大于5kΩ）。 另外，進(jìn)一步降低功耗可充分利用“sleep”指令。執(zhí)行“sleep”指令，機(jī)器處于睡眠狀態(tài)，功耗為幾個(gè)微安。程序不僅可在待命狀態(tài)使用“sleep”指令來等待事件，也可在延時(shí)程序里使用（見例1、例2）。在延時(shí)程序中使用“sleep”指令降低功耗是一個(gè)方面，同時(shí)，即使是關(guān)中斷狀態(tài)，Port B端口電平的變化可喚醒“sleep”，提前結(jié)束延時(shí)程序。這一點(diǎn)在一些應(yīng)用場(chǎng)合特別有用。同時(shí)注意在使用“sleep”時(shí)要處理好與WDT、中斷的關(guān)系。

 例1（用Mplab-C編寫） 例2（用Masm編寫） 　　Delay() Delay 　　{ ；此行可加開關(guān)中斷指令 　　/*此行可加開關(guān)中斷指令*/ movlw.10 　　for (i=0; i<=10; i++) movwf Counter 　　SLEEP(); Loop1 　　} Sleep 　　decfsz Counter 　　goto Loop1 　　return 　　 　　2 注意INTCON中的RBIF位 　　 　　INTCON中的各中斷允許位對(duì)中斷狀態(tài)位并無影響。當(dāng)PORT B配置成輸入方式時(shí)，RB<7:4>引腳輸入在每個(gè)讀操作周期被抽樣并與舊的鎖存值比較，一旦不同就產(chǎn)生一個(gè)高電平，置RBIF=1。在開RB中斷前，也許RBIF已置“1”，所以在開RB中斷時(shí)應(yīng)先清RBIF位，以免受RBIF原值的影響，同時(shí)在中斷處理完成后最好是清RBIF位。 　　 　　3 用Mplab-C高級(jí)語言寫PIC單片機(jī)程序時(shí)要注意的問題 　　 　　3.1 程序中嵌入?yún)R編指令時(shí)注意書寫格式 見例3。 　　 　　例3 　　 　　…… …… 　　while(1) {#asm while(1) { 　　…… #asm /*應(yīng)另起一行*/ 　　#endasm …… 　　}/*不能正確編譯*/ #endasm 　　…… }/*編譯通過*/ 　　…… 　　 　　當(dāng)內(nèi)嵌匯編指令時(shí)，從“#asm”到“endasm”每條指令都必須各占一行，否則編譯時(shí)會(huì)出錯(cuò)。 　　 　　3.2 加法、乘法的最安全的表示方法 見例4。 　　 　　例4 　　 　　#include<16c71.h> 　　#include 　　unsigned int a, b; 　　unsigned long c; 　　void main() 　　{ a=200; 　　b=2; 　　c=a＊b; 　　} /*得不到正確的結(jié)果c=400*/ 　　 　　原因是Mplab-C以8×8乘法方式來編譯c=a＊b，返回單字節(jié)結(jié)果給c，結(jié)果的溢出被忽略。改上例中的“c=a＊b；”表達(dá)式為“c=a；c=c＊b；”，最為安全（對(duì)加法的處理同上）。 　　 　　3.3 了解乘除法函數(shù)對(duì)寄存器的占用 　　 　　由于PIC片內(nèi)RAM僅幾十個(gè)字節(jié)，空間特別寶貴，而Mplab-C編譯器對(duì)RAM地址具有不釋放性，即一個(gè)變量使用的地址不能再分配給其它變量。如RAM空間不能滿足太多變量的要求，一些變量只能由用戶強(qiáng)制分配相同的RAM空間交替使用。而Mplab-C中的乘除法函數(shù)需借用RAM空間來存放中間結(jié)果，所以如果乘除法函數(shù)占用的RAM與用戶變量的地址重疊時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)不可預(yù)測(cè)的結(jié)果。如果C程序中用到乘除法運(yùn)算，最好先通過程序機(jī)器碼的反匯編代碼（包含在生成的LST文件中）查看乘除法占用地址是否與其它變量地址有沖突，以免程序跑飛。Mplab-C手冊(cè)并沒有給出其乘除法函數(shù)對(duì)具體RAM地址的占用情況。例5是乘法函數(shù)對(duì)0×13、0×14、0×19、0×1A地址占用情況。 　　 　　例5 　　 　　部分反匯編代碼 　　#include 01A7 081F MOVF 1F,W 　　#include 01A8 0093 MOVWF 13 　　；借用 　　unsigned long Value @0x1 01A9 0820 MOVF 20,W 　　char Xm @0x2d; 01AA 0094 MOVWF 14 　??；借用 　　void main() 01AB 082D MOVF 2D,W 　　{Value=20; 01AC 0099 MOVWF 19 　??；借用 　　Xm=40; 01AD 019A CLRF1A 　　；借用 　　Value=Value＊Xm 01AE 235F CALL 035Fh 　　；調(diào)用乘法函數(shù) 　　…… 01AF 1283 BCF 03，5 　　} 01B0 009F MOVWF 1F 　??；返回結(jié)果低字節(jié) 　　01B1 0804 MOVF 04，W 　　01B2 00A0 MOVWF 20 　??；返回結(jié)果高字節(jié) 　　 　　4 對(duì)芯片重復(fù)編程 　　 　　對(duì)無硬件仿真器的用戶，總是選用帶EPROM的芯片來調(diào)試程序。每更改一次程序，都是將原來的內(nèi)容先擦除，再編程，其過程浪費(fèi)了相當(dāng)多的時(shí)間，又縮短了芯片的使用壽命。如果后一次編程的結(jié)果較前一次，僅是對(duì)應(yīng)的機(jī)器碼字節(jié)的相同位由“1”變成“0”，就可在前一次編程芯片上再次寫入數(shù)據(jù)，而不必擦除原片內(nèi)容。 　　在程序的調(diào)試過程中，經(jīng)常遇到常數(shù)的調(diào)整，如常數(shù)的改變能保證對(duì)應(yīng)位由“1”變“0”，都可在原片內(nèi)容的基礎(chǔ)繼續(xù)編程。另外，由于指令“NOP”對(duì)應(yīng)的機(jī)器碼為“00”，調(diào)試過程中指令的刪除，先用“NOP”指令替代，編譯后也可在原片內(nèi)容上繼續(xù)編程。 　　另外，在對(duì)帶EPROM的芯片編程時(shí)，特別注意程序保密狀態(tài)位。廠家對(duì)新一代帶EPROM芯片的保密狀態(tài)位已由原來的EPROM可擦型改為了熔絲型，一旦程序代碼保密熔絲編程為“0”，可重復(fù)編程的 EPROM 芯片就無法再次編程了。使用時(shí)應(yīng)注意這點(diǎn)，以免造成不必要的浪費(fèi)（Microchip 資料并未對(duì)此做出說明）。