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兩線制 4-20mA 信號(hào)隔離的典型應(yīng)用

兩線制 4-20mA 信號(hào)隔離的典型應(yīng)用

2006/12/7 9:06:00
兩線制4-20mA信號(hào)隔離器:(ISO 4-20mA) ISO 4-20mA電流環(huán)隔離芯片是單片兩線制隔離接口芯片,該IC內(nèi)部包含有電流信號(hào)調(diào)制解調(diào)電路、信號(hào)耦合隔離變換電路等。很小的輸入等效電阻,使該IC的輸入電壓達(dá)到超寬范圍(7.5—32V),以滿足用戶無需外接電源而實(shí)現(xiàn)信號(hào)遠(yuǎn)距離、無失真?zhèn)鬏數(shù)男枰?。?nèi)部的陶瓷基板、印刷電阻工藝及新技術(shù)隔離措施使器件能達(dá)到3KVDC絕緣電壓和工業(yè)級(jí)寬溫度、潮濕、震動(dòng)的現(xiàn)場(chǎng)惡劣環(huán)境要求。ISO 4-20mA系列產(chǎn)品使用非常方便無需外接任何元件即可實(shí)現(xiàn)4-20mA電流環(huán)隔離或信號(hào)一進(jìn)二出、二進(jìn)二出等變換功能。
兩線制4-20mA信號(hào)隔離調(diào)理器:(ISO 4-20mA-P) ISO 4-20mA-P是一種兩線制4-20mA 信號(hào)隔離調(diào)理器,屬于SUNYUAN ISO 4-20mA系列的產(chǎn)品。 該IC內(nèi)部包含有電流信號(hào)調(diào)制解調(diào)電路、信號(hào)耦合隔離變換電路等。很小的輸入等效電阻,使該IC能夠從傳感器回路中采集到的信號(hào)電壓達(dá)到超寬范圍(7.5—32V),以滿足用戶無需外接輔助電源而實(shí)現(xiàn)信號(hào)遠(yuǎn)距離、無失真?zhèn)鬏數(shù)男枰?。該IC輸出是針對(duì)24VDC和取樣電阻(或稱負(fù)載電阻)相串聯(lián)的二線制供電回路來設(shè)計(jì)的,同當(dāng)前流行的模擬量輸入接口板(上位機(jī))、PLCDCS或其他儀表的模擬量輸入端口相匹配。 內(nèi)部的陶瓷基板、印刷電阻工藝及新技術(shù)隔離措施使器件能達(dá)到3KVDC絕緣電壓和工業(yè)級(jí)寬溫度、潮濕、震動(dòng)的現(xiàn)場(chǎng)惡劣環(huán)境要求。ISO 4-20mA-P產(chǎn)品使用非常方便,只需外接一個(gè)50KΩ的多圈電位器進(jìn)行ADJ校正,即可實(shí)現(xiàn)兩線制4-20mA信號(hào)的隔離、傳輸和變送功能或信號(hào)的一進(jìn)二出、二進(jìn)二出等變換功能。
兩線制4-20mA信號(hào)隔離配電器:(ISO 4-20mA-F) ISO 4-20mA-F是一種兩線制4-20mA 信號(hào)隔離配電器,屬于SUNYUAN ISO 4-20mA系列的產(chǎn)品。 該IC內(nèi)部包含有電流信號(hào)調(diào)制解調(diào)電路、信號(hào)耦合隔離變換電路,還有一個(gè)高效率的DC-DC電路等。該IC為兩線制配電器配電16V~21.5V,方便了一些兩線制傳感器的信號(hào)測(cè)量、遠(yuǎn)傳、隔離等功能。該IC輸出是針對(duì)24VDC和取樣電阻(或稱負(fù)載電阻)相串聯(lián)的二線制供電回路(現(xiàn)場(chǎng)防爆功能)來設(shè)計(jì)的,同當(dāng)前流行的模擬量輸入接口板(上位機(jī))、PLC、DCS或其他儀表的模擬量輸入端口相匹配。 內(nèi)部的陶瓷基板、印刷電阻工藝及新技術(shù)隔離措施使器件能達(dá)到3KVDC絕緣電壓和工業(yè)級(jí)寬溫度、潮濕、震動(dòng)的現(xiàn)場(chǎng)惡劣環(huán)境要求。ISO 4-20mA-F產(chǎn)品使用非常方便,無需外接任何器件即可實(shí)現(xiàn)兩線制4-20mA信號(hào)的隔離、傳輸和變送功能。
兩線制4-20mA信號(hào)隔離變送器:(ISO 1003) 兩線制4-20mA信號(hào)隔離變送器(ISO 1003)是單片兩線制隔離接口芯片,該芯片內(nèi)部包含有一個(gè)電流信號(hào)調(diào)制電路,光電耦合隔離變換電路及解調(diào)電路。 該芯片有4-20mA的供電電壓范圍寬(16.5V-36V),輸入等效電阻小,線性度高等特點(diǎn)。該芯片可提供5V/3.5mA的隔離電壓輸出、2.5V基準(zhǔn)電源。輸入信號(hào)的電壓為0-0.8V,相對(duì)應(yīng)輸入側(cè)信號(hào)路中電流的變化。輸入及輸出側(cè)寬爬電距離及內(nèi)部特殊絕緣的隔離措施使該芯片可達(dá)到3KVDC絕緣電壓。
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