GaN系半導體材料生長的MOCVD控制系統(tǒng)設計與實現(xiàn)
2013/4/3 15:32:36
MOCVD(Metal Organic Chem icalVapor Deposition)(金屬有機化合物化學氣相淀積)是一種高質(zhì)量半導體材料生長技術,以MO化合物為材料源,在合適的淀積溫度下,利用易揮發(fā)的MO化合物轉(zhuǎn)移相對穩(wěn)定的金屬原子,進行材料的淀積[1]。MOCVD技術主要應用于半導體材料、納米材料等材料生長
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