Flash存儲器

(1)Flash存儲器是一種非易失性存儲器，根據結構的不同可以將其分為NOR Flash和NAND Flash兩種。

(2)Flash存儲器的特點：

A、區(qū)塊結構：在物理上分成若干個區(qū)塊，區(qū)塊之間相互獨立。

B、先擦后寫：Flash的寫操作只能將數據位從1寫成0，不能從0寫成1，所以在對存儲器進行寫入之前必須先執(zhí)行擦除操作，將預寫入的數據位初始化為1。擦除操作的最小單位是一個區(qū)塊，而不是單個字節(jié)。

C、操作指令：執(zhí)行寫操作，它必須輸入一串特殊指令(NOR Flash)或者完成一段時序(NAND Flash)才能將數據寫入。

D、位反轉：由于Flash的固有特性，在讀寫過程中偶爾會產生一位或幾位的數據錯誤。位反轉無法避免，只能通過其他手段對結果進行事后處理。

E、壞塊：區(qū)塊一旦損壞，將無法進行修復。對已損壞的區(qū)塊操作其結果不可預測。

(3)NOR Flash的特點：

應用程序可以直接在閃存內運行，不需要再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中運行。NOR  Flash的傳輸效率很高，在1MB~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

(4)NAND Flash的特點

能夠提高極高的密度單元，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，這也是為何所有的U盤都使用NAND Flash作為存儲介質的原因。應用NAND  Flash的困難在于閃存需要特殊的系統(tǒng)接口。

(5)NOR Flash與NAND Flash的區(qū)別：

A、NOR Flash的讀速度比NAND Flash稍快一些。

B、NAND Flash的擦除和寫入速度比NOR Flash快很多

C、NAND Flash的隨機讀取能力差，適合大量數據的連續(xù)讀取。

D、NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引進來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節(jié)。NAND  Flash的地址、數據和命令共用8位總線(有寫公司的產品使用16位)，每次讀寫都要使用復雜的I/O接口串行地存取數據。

E、NOR Flash的容量一般較小，通常在1MB~8MB之間;NAND Flash只用在8MB以上的產品中。因此，NOR  Flash只要應用在代碼存儲介質中，NAND Flash適用于資料存儲。

F、NAND Flash中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR Flash是十萬次。

G、NOR Flash可以像其他內存那樣連接，非常直接地使用，并可以在上面直接運行代碼;NAND  Flash需要特殊的I/O接口，在使用的時候，必須先寫入驅動程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND  Flash上自始至終必須進行虛擬映像。

H、NOR Flash用于對數據可靠性要求較高的代碼存儲、通信產品、網絡處理等領域，被成為代碼閃存;NAND  Flash則用于對存儲容量要求較高的MP3、存儲卡、U盤等領域，被成為數據閃存。