一份新市場報告預(yù)計，從2018年到2029年，獨立MRAM和STT-MRAM的收入將增長170倍，達(dá)到近40億美元的收入。下一代內(nèi)存技術(shù)的增長將主要由取代效率較低的內(nèi)存技術(shù)（例如NOR閃存和SRAM）推動。

 
MRAM容量出貨量預(yù)測（2017-2029，Coughlin）分析人士預(yù)計，包括DRAM，3DXpoint和NAND在內(nèi)的許多存儲技術(shù)將在未來幾年內(nèi)增長，但增長最快的將是MRAM存儲器。容量方面的出貨量預(yù)計將從2019年的約0.1PB增長到2029年的近100PB。
 
對MRAM存儲器的巨大需求將刺激設(shè)備支出的穩(wěn)步增長。預(yù)計MRAM設(shè)備市場將從2018年的2600萬美元增長到2029年的854美元-增長33倍。

 
作為MRAM領(lǐng)先的制造商Everspin Technologies宣布已收到主要OEM的1Gb STT-MRAM設(shè)備的資格通知。該公司現(xiàn)在有資格為第一位客戶開始生產(chǎn)新芯片。 
EVERSPIN進(jìn)一步宣布，自從開始生產(chǎn)MRAM以來，它出貨了120多種Toggle MRAM和STT-MRAM設(shè)備。 
宣布其最新的Flash Core模塊將使用Everspin的1Gb STT-MRAM芯片-因此IBM可能是主要的OEM。Everspin由于OEM尚未宣布實際產(chǎn)品，因此無法宣布名稱。