2014年9月12日，由深圳方正微電子有限公司主辦，華強電子產業(yè)研究所和思銳達傳媒協(xié)辦的“方正微電子2014年度VIP技術論壇”在深圳召開。中國半導體行業(yè)協(xié)會、半導體應用聯(lián)盟、深圳集成電路產業(yè)化基地、深港產學研基地、深圳半導體行業(yè)協(xié)會、北京大學、中山大學、南方科技大學、深圳大學及國內外IC產業(yè)鏈知名企業(yè)等產學研組織共聚一堂，論壇以“聚焦綠色節(jié)能市場，助力中國功率半導體產業(yè)升級”為主題，結合中國半導體產業(yè)現(xiàn)狀及市場大環(huán)境，圍繞綠色節(jié)能產業(yè)和ICT市場發(fā)展浪潮等方向進行了深入探討。

　　中國半導體行業(yè)協(xié)會陳賢副理事長、半導體應用聯(lián)盟主席張克科、方正集團魏新董事長等領導應邀出席本次技術論壇并致辭。

　　中國半導體行業(yè)協(xié)會陳賢副理事長在致辭中表示，未來5至10年間，中國的半導體行業(yè)將獲得迅速發(fā)展，國內企業(yè)要注重發(fā)展頂層設計，加強研發(fā)與人才積累，集中投資建設，打造全產業(yè)鏈模式。

　　半導體應用聯(lián)盟主席張克科則暢談了深圳之所以能夠成長出一大批頂尖半導體相關企業(yè)，正是因為它的開放與創(chuàng)新，方正微電子扎根這片市場沃土必將大有作為。

　　方正集團魏新董事長則透露出方正集團對方正微電子的力挺，魏董事長認為方正微電子白手起家取得今天的成績是跟客戶的支持和員工的努力分不開的，今后要繼續(xù)方方正正做人，實實在在做事。

　　方正微電子總裁王賀光表示：為了應對半導體新材料時代的來臨，積極響應北京大學校長王恩哥院士的倡議，本著“早布局、早開拓”的原則，方正微電子早在2011年，就敏銳地嗅覺到寬禁帶半導體市場的巨大潛力;2012年7月，北京大學產業(yè)技術研究院與方正集團正式簽署合作協(xié)議，成立“北大產業(yè)技術研究院方正集團協(xié)同創(chuàng)新實驗室”，正式開展“GAN功率器件制造技術研發(fā)” 項目，這個項目將填補我國氮化鎵功率器件產品的空白。

　　隨后，深圳集成電路產業(yè)化基地副主任趙秋奇和方正微電子總裁王賀光進行了“深圳ICC基地與FMIC合作共建MPW服務平臺”簽約儀式，雙方共建MPW服務平臺，此舉將直接為深圳乃至華南地區(qū)集成電路設計企業(yè)提供優(yōu)惠補貼及更便捷的流片通道，意義甚大。

　　隨著全球各大經濟體力推節(jié)能減排政策，功率半導體越來越受到業(yè)界的重視。拓璞產業(yè)研究所所長楊勝帆表示，2009年后分離式功率半導體和集成功率半導體產值比例相當，長期而言整體為成長趨勢。方正微電子CMO殷大望認為：2014年的功率半導體有四大市場驅動力，包括FPD的DC/DC電源和LED背光、電源管理芯片PMIC、馬達驅動和高壓AC/DC驅動，這些領域FMIC均有較強的技術積累。殷大望指出：“十二五”期間中國的LED應用需求快速增長，特別是LED照明正在迅速成為LED應用最大的市場，也是FMIC期望能夠做出重要貢獻的新興市場。隨后，設計服務部經理和功率集成部經理分別針對“綠色電源及LED照明最佳解決方案”進行了專題性的介紹與分享。

　　思銳達傳媒總經理吳利民表示，2014年中國LED照明產值達到435億人民幣，同比增長34.2%，未來兩年將保持高速增長。國內已經有60~70家驅動IC企業(yè)進入LED照明市場，而隨著市場的成熟，訂單份額將向少數(shù)企業(yè)集中，F(xiàn)oundry廠的資源則會更多地傾向于支持數(shù)家大客戶，因此未來誰能獲得上游Foundry的支持才能獲得重要的市場話語權。

　　FMIC市場副總裁殷大望表示：方正微電子的6英寸產線目前月產能為7萬片，采取的是純代工的商業(yè)模式，從制度和模式上充分保障客戶的知識產權。另外，方正微電子也提供了多樣化的商業(yè)合作模式，包括標準工藝平臺代工、定制化平臺代工和“虛擬IDM ”深層戰(zhàn)略合作伙伴關系等，能夠為客戶提供非常靈活的高性價比的整體解決方案。

　　FMIC研發(fā)副總裁黃宇萍則從技術的角度進一步介紹了FMIC的高性價比電源管理工藝平臺。黃宇萍認為：雖然目前方正微電子只有6英寸晶圓產線和0.4um工藝，但可以根據(jù)客戶需要提供定制的先進設計來平衡成本和性能，仍然具有很強的市場競爭力。例如，目前應用于LED恒流驅動的CRD方案，市場上只能找到100V的產品，在方正看來抗住220V的交流電很勉強，而FMIC可以提供高達140V的CRD方案。另外，黃宇萍認為現(xiàn)有的0.4um工藝也完全可以進一步升級到更細的線寬，但FMIC一定會和客戶一起全局考量最終產品的競爭力來決定是否去做。隨后，方正微電子技術開發(fā)團隊還詳細地介紹了方正微電子CDMOS800V、

　　BiCMOS 30V、0.5um HV CMOS 工藝的競爭力所在。

　　目前，硅基功率器件已經接近材料的理論極限，逐漸難以滿足現(xiàn)在應用市場對器件高功率密度、超高頻和惡劣環(huán)境下工作的要求，新型材料的開發(fā)將極大拓寬功率半導體的應用范圍。GaN寬禁帶半導體材料因為其優(yōu)良的性能，成為新型電力電子器件的首選。方正微電子在未來新興技術方面也開始全面布局，已經聯(lián)合北京大學、中山大學、中鎵半導體和TCL打造完整的GaN器件應用產業(yè)鏈，矢志成為國際領先的氮化鎵器件供應商。

　　深圳IC業(yè)界作為改革開放的排頭兵，方正微電子正是具備這樣的潛質的企業(yè)，并希望他們在三年之內成長為“國家隊”的一匹“黑馬”。