在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)的浪潮中，美國對華技術(shù)封鎖持續(xù)升級，已累計將200余家中國科技企業(yè)列入實體清單。在晶圓制造核心設(shè)備國產(chǎn)化率不足15%的嚴(yán)峻形勢下，半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵零部件的自主可控已成為關(guān)乎產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略要務(wù)。

作為半導(dǎo)體設(shè)備的"動力中樞"，工業(yè)電源系統(tǒng)的國產(chǎn)化進(jìn)程直接影響著刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等關(guān)鍵裝備的自主替代速度。中電華星依托25年高端電源研發(fā)經(jīng)驗，構(gòu)建起覆蓋半導(dǎo)體設(shè)備全場景的電源解決方案矩陣，助力國產(chǎn)設(shè)備廠商突破"卡脖子"技術(shù)瓶頸。

一、半導(dǎo)體設(shè)備電源系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)突破

(1) SEMI F47認(rèn)證體系深度適配

通過自主研發(fā)的電壓暫降補償技術(shù)，中電華星PWS系列電源模塊成功實現(xiàn)200ms內(nèi)電壓跌落恢復(fù)能力，在半導(dǎo)體設(shè)備特有的電壓瞬變測試中，電源保持率可達(dá)99.98%，完全滿足SEMI F47-0708認(rèn)證要求。

(2) μV級紋波控制技術(shù)

采用專利的磁耦合濾波架構(gòu)，將輸出紋波控制在50μV以下。在28nm制程的離子注入設(shè)備中，實測電源噪聲低于設(shè)備控制板耐受閾值30%，顯著提升工藝穩(wěn)定性。

(3) 毫秒級動態(tài)響應(yīng)機(jī)制

基于數(shù)字環(huán)路控制(DLC)技術(shù)開發(fā)的HDC系列電源模塊，動態(tài)響應(yīng)時間縮短至5ms。在ALD原子層沉積設(shè)備的脈沖式負(fù)載場景下，輸出電壓波動幅度≤0.05%，優(yōu)于進(jìn)口產(chǎn)品0.12%的行業(yè)平均水平。

(4) 高可靠性設(shè)計

通過導(dǎo)入航天級元器件篩選標(biāo)準(zhǔn)，中電華星工業(yè)電源模塊MTBF突破15萬小時。獨創(chuàng)的三重冗余散熱結(jié)構(gòu)，使電源在-40℃~+85℃寬溫域內(nèi)保持全功率輸出能力，EMC性能達(dá)到EN55032 CLASS A標(biāo)準(zhǔn)。

二、半導(dǎo)體設(shè)備電源解決方案創(chuàng)新實踐

薄膜沉積設(shè)備電源系統(tǒng)

在CVD化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，中電華星創(chuàng)新采用"雙總線+模塊化"供電架構(gòu)：

? 主控系統(tǒng)：搭載自主研發(fā)的數(shù)字電源模塊，支持CAN總線通信實現(xiàn)0.1%級電壓精度閉環(huán)控制

? 加熱系統(tǒng)：配置HDP1000系列大功率電源組，具備150%瞬時過載能力，滿足腔體快速升溫需求

? 安全保障：集成符合IEC 60079防爆標(biāo)準(zhǔn)的隔離型電源單元，通過三級浪涌防護(hù)設(shè)計確保系統(tǒng)安全

該方案已在國內(nèi)某12英寸晶圓廠實現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用，設(shè)備綜合能效提升18%，電源故障率同比下降72%。

結(jié)語

在半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程加速的當(dāng)下，中電華星通過持續(xù)的技術(shù)迭代和場景創(chuàng)新，已形成覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積等全工藝環(huán)節(jié)的電源解決方案能力。公司自主開發(fā)的第四代智能電源平臺，集成故障預(yù)測、能效優(yōu)化等AI功能，正在為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備向5nm以下先進(jìn)制程突破提供核心動力支撐。選擇中電華星，不僅是選擇可靠的技術(shù)合作伙伴，更是共同構(gòu)建中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全屏障的戰(zhàn)略抉擇。