在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向三維集成與高密度封裝演進(jìn)的浪潮中，玻璃基板憑借其優(yōu)異的平整度、熱穩(wěn)定性和高頻特性，成為替代傳統(tǒng)有機(jī)基板的核心材料（Glass Core）。

玻璃通孔（TGV）技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)玻璃基板垂直互連的關(guān)鍵，通過(guò)在玻璃晶圓上加工微米級(jí)通孔并填充金屬，為芯片提供高密度電氣連接，廣泛應(yīng)用于 AI 芯片封裝、5G 射頻組件及 Mini/Micro LED 顯示等領(lǐng)域。

在TGV技術(shù)中，來(lái)料玻璃的檢測(cè)是TGV工藝的首道防線，不僅是首道工序，更是整個(gè)工藝鏈的戰(zhàn)略防線，直接決定了后續(xù)數(shù)十道復(fù)雜工藝的可行性，經(jīng)過(guò)測(cè)試對(duì)比約50%的產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題源于來(lái)料缺陷，主要檢測(cè)缺陷存在的工藝風(fēng)險(xiǎn)如下：

1、Particle：

微粒遮擋激光路徑，導(dǎo)致誘導(dǎo)能量不均勻，形成孔洞形狀畸變或深度不足；若微粒為導(dǎo)電雜質(zhì)，還可能引起電路短路運(yùn)輸、切割或清潔過(guò)程中吸附的塵埃、金屬碎屑等。

2、劃痕：

劃痕破壞表面光學(xué)均勻性，導(dǎo)致激光散射或聚焦偏移，誘導(dǎo)點(diǎn)位置偏差，在化學(xué)蝕刻階段，劃痕可能成為應(yīng)力集中點(diǎn)，誘發(fā)裂紋擴(kuò)展。

3、微裂紋與內(nèi)部氣泡：

激光高溫作用下微裂紋擴(kuò)展，蝕刻階段可能貫穿基板，氣泡在高溫蝕刻液中膨脹，導(dǎo)致玻璃分層。

因此來(lái)料缺陷檢測(cè)至關(guān)重要，在工藝起點(diǎn)部署高精度、多維度的AOI檢測(cè)設(shè)備，嚴(yán)控來(lái)料零缺陷，是提升良率的核心手段。華屹超精密的Zeus HS1000，確?；撞牧弦酝昝赖臓顟B(tài)進(jìn)入核心工藝環(huán)節(jié)，為整個(gè)生產(chǎn)流程的順暢和高良率奠定基石。

華屹Zeus HS1000——精密“守門(mén)員”

檢測(cè)項(xiàng)目：

表面臟污、異物、劃痕、裂紋、殘膠、手指印、Particle

主要指標(biāo)：

l 最小檢出：200nm

l 檢測(cè)重復(fù)性≤1%

l 分辨率：0.3um

l 3 UPH@510*515mm，10 UPH@8 inch，30 UPH@6 inch @5X

檢測(cè)亮點(diǎn)：

l成像方案采用雙成像通道，支持 LED 同軸白光明場(chǎng)與暗場(chǎng)一次成像，暗場(chǎng)檢測(cè)精度達(dá)200nm；

l支持自動(dòng)物鏡切換，可適配 5X-100X 物鏡；

l支持自動(dòng)對(duì)焦，來(lái)料厚度兼容 0.1mm-2mm，尺寸兼容 Panel（515mm*510mm）及 Wafer（6”、8”）。

檢測(cè)效果圖

應(yīng)用場(chǎng)景

針對(duì)玻璃透明性、高反光性以及微孔高深寬比、高精度填充等獨(dú)特挑戰(zhàn)，華屹超精密自研全套 AOI 檢測(cè)設(shè)備，構(gòu)建了從源頭到終端的全流程檢測(cè)體系：從來(lái)料檢測(cè)的嚴(yán)格把關(guān)，到激光誘導(dǎo)、化學(xué)蝕刻的過(guò)程監(jiān)控，再到 PVD /電鍍金屬化及重布線層（RDL）制備的精準(zhǔn)核查，每個(gè)工藝段都實(shí)現(xiàn)了超高分辨率與檢測(cè)精度，可捕捉微米級(jí)甚至亞微米級(jí)缺陷。

這種全鏈路的精密檢測(cè)能力，不僅有效克服了行業(yè)長(zhǎng)期存在的檢測(cè)痛點(diǎn)，更通過(guò)提前識(shí)別風(fēng)險(xiǎn)、優(yōu)化工藝參數(shù)，為 TGV 技術(shù)的規(guī)?；瘧?yīng)用提供了可靠保障。在半導(dǎo)體三維集成與高密度封裝加速升級(jí)的當(dāng)下，華屹超精密正以技術(shù)創(chuàng)新為支點(diǎn)，助力產(chǎn)業(yè)鏈突破良率瓶頸，推動(dòng)更多高端應(yīng)用場(chǎng)景從實(shí)驗(yàn)室走向量產(chǎn)落地。