TELEDYNE DALSA CCD制造
2013/7/4 17:08:19
| Teledyne DALSA半導體的150毫米CCD工藝具有兩或三層的晶硅層和一，二或三層金屬層, 提供高達15V的表面或埋溝操作. 模塊化的處理方法，使我們的代工客戶可以通過調(diào)整工藝參數(shù)來滿足最苛刻的要求, 比如CTE（99.999％），儲存電荷的能力，并暗電流（<1nA/cm2）?；A工藝使用1X投影光刻與2.5μm的設計規(guī)則，最多允許管芯尺寸為100mm×100mm的。如需要更嚴格的對準公差和更小的特征尺寸可以使用5倍光刻，使用混合使用和匹配或全部步進的方法。使用步進可達到最大晶片尺寸 22毫米x 22毫米，要達到更大的傳感器可以采用拼接。 我們的CCD技術(shù)可廣泛調(diào)諧; p或n-型，散裝或epi起始原料的電阻率可以在寬范圍內(nèi)定義，包括浮區(qū)硅可到10kΩ每厘米。可以添加客戶指定埋通道和障礙植入適合自己的應用，通道停止，防暈染植入物或其他特殊功能。在已成功的項目中包括抗輻射PMOS的CCD，和世界上分辨率最高的單片器件-像素超過2.5億像素。 |  |
 | 典型應用包括工業(yè)和科學，包括航空和衛(wèi)星成像。Teledyne DALSA的機器視覺事業(yè)部的眾多業(yè)界領(lǐng)先的工業(yè)級數(shù)碼相機使用的圖像傳感器使用了可自定義變量的該工藝。美國航空航天局的噴氣推進實驗室選擇Teledyne DALSA的圖像傳感器用于建造好奇號火星探測車，之前的勇氣號和機遇流浪者。 為了支持我們所有客戶的定制CCD工藝中，我們提供了一系列服務，從光掩膜制造到完整的器件特性定義。 |
Teledyne DALSA半導體經(jīng)營的CCD晶圓代工服務是獨立于其它任何DALSA公司業(yè)務單位之外的事業(yè)部。我們可以保證客戶信息和數(shù)據(jù)的保密性。
設計規(guī)則
*Wet metal etch option.
Contact Teledyne DALSA Semiconductor to receive our most recent detailed design rules document.
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