隨著新能源汽車和光伏行業(yè)不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件的應(yīng)用不斷擴(kuò)寬，IGBT/SiC MOSFET作為充電樁設(shè)備、光伏SVG系統(tǒng)中的關(guān)鍵半導(dǎo)體器件組成部分，市場對其應(yīng)用條件和性能提出了更高的要求，隨之也帶來了對驅(qū)動(dòng)方案的高要求。

金升陽基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺，升級開發(fā)IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品。同時(shí)為滿足更加嚴(yán)苛的應(yīng)用需求，打造了全新的爬電距離滿足1700V系統(tǒng)電源應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品，以期為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案。

產(chǎn)品優(yōu)勢

5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強(qiáng)絕緣R3系列驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品基于自主IC設(shè)計(jì)平臺，隔離電壓高達(dá)5000VAC，遠(yuǎn)優(yōu)于市場上常規(guī)產(chǎn)品（3750VAC），且滿足加強(qiáng)絕緣設(shè)計(jì)要求，整體可靠性得到極大提升。

滿足1700VDC長期絕緣要求（使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

作為現(xiàn)階段主流的半導(dǎo)體器件，市面上IGBT/SiC MOSFET多為中低壓應(yīng)用，應(yīng)用電壓為650V/900V/1200V/1700V；R3系列驅(qū)動(dòng)電源基于IEC-61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求，實(shí)現(xiàn)長期絕緣電壓（持續(xù)放電）滿足1700V，應(yīng)用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是滿足了爬電距離>14.14mm。

多項(xiàng)性能指標(biāo)提升

R3系列驅(qū)動(dòng)電源相較于R1系列產(chǎn)品，整體性能也進(jìn)行了優(yōu)化提升：

1）效率提升：80%→87%

2）紋波下降：75mVpp→50mVpp

3）強(qiáng)帶載能力：220uF→2200uF

4）靜電性能提升：±6kV→±8kV

5）隔離電容降低：6.6pF→3.5pF

產(chǎn)品應(yīng)用

作為IGBT/SiC MOSFET專用驅(qū)動(dòng)電源，在產(chǎn)品應(yīng)用上與IGBT/SiC MOSFET應(yīng)用重合，可用于光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等多種場合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅(qū)動(dòng)；已光伏SVG系統(tǒng)為例，可配合驅(qū)動(dòng)芯片來共同驅(qū)動(dòng)后端的IGBT期間，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的有效運(yùn)行。

產(chǎn)品特點(diǎn)

隔離電壓5000VAC（滿足加強(qiáng)絕緣）

長期絕緣：1700V

效率高達(dá)87%

超小型SIP封裝

最大容性負(fù)載2200uF

超小隔離電容3.5pF(typ.)

工作溫度范圍：-40℃ to +105℃

產(chǎn)品布局

詳情可參考產(chǎn)品技術(shù)手冊或咨詢sales@mornsun.cn